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SJ 20015-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１３０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon high-frequency low-power transistor for type 3DG130 GP,GT and GCT classes
基本信息
  • 标准号：
    SJ 20015-1992
  • 名称：
    半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１３０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范
  • 英文名称：
    Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon high-frequency low-power transistor for type 3DG130 GP,GT and GCT classes
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    强制性
  • 发布日期：
    1992-02-01
  • 实施日期：
    1992-05-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85〈半导体分立器件总规范〉的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位：
    中国电子技术标准化研究所
  • 提出部门：
    中国电子工业总公司科技质量局
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
相关人员
  • 起草人：
    王长福 谢佩兰 王承琳
关联标准