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SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes
基本信息
-
标准号:
SJ 20011-1992
-
名称:
半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
-
英文名称:
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes
-
状态:
现行
-
类型:
暂无
-
性质:
强制性
-
发布日期:
1992-02-01
-
实施日期:
1992-05-01
-
废止日期:
暂无
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相关公告:
暂无
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分类信息
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ICS分类:
暂无
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CCS分类:
【
综合(A)
标准化管理与一般规定(A00/09)
技术管理(A01)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位:
中国电子技术标准化研究所
-
起草单位:
中国电子技术标准化研究所
-
提出部门:
中国电子工业总公司科技质量局
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