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SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes
基本信息
  • 标准号:
    SJ 20011-1992
  • 名称:
    半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
  • 英文名称:
    Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    暂无
  • 性质:
    强制性
  • 发布日期:
    1992-02-01
  • 实施日期:
    1992-05-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    暂无
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分类信息
  • ICS分类:
    暂无
  • CCS分类:
    综合(A) 标准化管理与一般规定(A00/09) 技术管理(A01)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本标准规定了CS1型硅沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
  • 引用标准:
    GB 4586-1984 场效应晶体管测试方法
    GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
    GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
    GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位:
    中国电子技术标准化研究所
  • 起草单位:
    中国电子技术标准化研究所
  • 提出部门:
    中国电子工业总公司科技质量局
相关人员
  • 起草人:
    王长福 吴志龙 张宗国 刘美英
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