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GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
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主管部门：
国家标准化管理委员会
-
起草单位：
峨嵋半导体材料研究所
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
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