收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
Semiconductor materials--Terms and definitions
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门：
国家标准化管理委员会
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
-
起草单位：
中国有色金属总公司标准所
相关人员
关联标准
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 26067-2010
硅片切口尺寸测试方法
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
DB65/T 3486-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
-
YS/T 986-2014
晶片正面系列字母数字标志规范
-
GB/T 1553-2009
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 24577-2009
热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
-
GB/T 30110-2013
空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法
-
GB/T 14264-2009
半导体材料术语
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
打开设置，点击
执行注册
