收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 14264-1993 半导体材料术语
Semiconductor materials--Terms and definitions
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
暂无
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门:
国家标准化管理委员会
-
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
-
起草单位:
中国有色金属总公司标准所
相关人员
关联标准
-
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
-
GB/T 26071-2010
太阳能电池用硅单晶切割片
-
GB/T 25076-2010
太阳电池用硅单晶
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
-
GB/T 26067-2010
硅片切口尺寸测试方法
-
GB/T 29057-2012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
-
YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法