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SJ 20176-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范

Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440
基本信息
  • 标准号：
    SJ 20176-1992
  • 名称：
    半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范
  • 英文名称：
    Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    强制性
  • 发布日期：
    1992-11-19
  • 实施日期：
    1993-05-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
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分类信息
  • ICS分类：
    暂无
  • CCS分类：
    【 矿业（D） 矿业综合（D00/09） 技术管理（D01） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位：
    中国电子技术标准化研究所
  • 提出部门：
    中国电子工业总公司科技质量局
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂
相关人员
  • 起草人：
    王长福 吴鑫奎 龚云
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