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SJ 20068-1992 半导体分立器件 ２ＤＷ１４～１８型低噪声硅电压基准二极管详细规范
Semiconductor discrete device-Detail specification for lower noise for silicon voltage reference diode for Type 2DW14～18
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
农业、林业（B）
农业、林业综合（B00/09）
技术管理（B01）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
暂无
-
适用范围：
本规范规定了2DWl4~l8型低噪声低硅电压基准二极管（以下简称器件）的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和ＧｃＴ）.
-
引用标准：
GB 6571-1986 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 33/006-1989 半导体分立器件 电压调整和电压基准二极管空白详细规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
相关标准
相关部门
-
归口单位：
中国电子技术标准化研究所
-
提出部门：
中国电子工业总公司科技质量局
-
起草单位：
中国电子技术标准化研究所和杭州无线电二厂
相关人员
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