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SJ 20060-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120
基本信息
  • 标准号：
    SJ 20060-1992
  • 名称：
    半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范
  • 英文名称：
    Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    强制性
  • 发布日期：
    1992-11-19
  • 实施日期：
    1993-05-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
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分类信息
  • ICS分类：
    暂无
  • CCS分类：
    【 综合（A） 标准化管理与一般规定（A00/09） 技术管理（A01） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
  • 引用标准：
    GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
    GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
    GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
    GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
相关标准
暂无
相关部门
  • 归口单位：
    中国电子技术标准化研究所
  • 提出部门：
    中国电子工业总公司科技质量局
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂
相关人员
  • 起草人：
    王长福 王承琳 谢佩兰
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