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GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
-
引用标准：
GB 6379
-
采用标准：
ASTM F95:1989 （等效采用 EQV）
相关部门
-
主管部门：
国家标准化管理委员会
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
-
起草单位：
机电部四十六所
相关人员
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