收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
Designations of semiconductor materials
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门：
国家标准化管理委员会
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
-
起草单位：
中国有色金属工业总公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
YS/T 986-2014
晶片正面系列字母数字标志规范
-
GB/T 26071-2010
太阳能电池用硅单晶切割片
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 26069-2010
硅退火片规范
-
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
YS/T 985-2014
硅抛光回收片
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
YS/T 679-2008
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
-
YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
打开设置，点击
执行注册
