收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
Designations of semiconductor materials
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门：
国家标准化管理委员会
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
-
起草单位：
中国有色金属工业总公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 6624-2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 16595-2019
晶片通用网格规范
-
YS/T 679-2008
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
-
GB/T 1553-2009
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 26067-2010
硅片切口尺寸测试方法
-
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
-
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
打开设置，点击
执行注册
