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SJ/T 10482-1994 半导体深能级的瞬态电容测试方法

Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
基本信息
  • 标准号：
    SJ/T 10482-1994
  • 名称：
    半导体深能级的瞬态电容测试方法
  • 英文名称：
    Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    行业标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    1994-04-11
  • 实施日期：
    1994-10-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。
    本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。
    由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电
    容瞬态有关的深能级。
  • 引用标准：
    暂无
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暂无
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