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GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
基本信息
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标准号：
GB/T 14863-1993
-
名称：
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
-
英文名称：
Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
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状态：
废止
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类型：
国家标准
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性质：
推荐性
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发布日期：
1993-12-30
-
实施日期：
1994-10-01
-
废止日期：
2014-08-15
-
相关公告：
修订公告【关于批准发布《化学试剂甲醛溶液》等567项国家标准和45项国家标准样品的公告】
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分类信息
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ICS分类：
暂无
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CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
半导体分立器件（L40/49）
半导体二极管（L41）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
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相关部门
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归口单位：
工业和信息化部（电子）
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主管部门：
工业和信息化部（电子）
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起草单位：
机械电子工业部所和所
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