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GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes基本信息
- 标准号:GB/T 14863-1993
- 名称:用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
- 英文名称:Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
- 状态:废止
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:1993-12-30
- 实施日期:1994-10-01
- 废止日期:2014-08-15
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:暂无
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:暂无
- 引用标准:暂无
相关标准
- 引用标准:SJ 1550
相关部门
- 归口单位:工业和信息化部(电子)
- 主管部门:工业和信息化部(电子)
- 起草单位:机械电子工业部所和所
相关人员
暂无
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