收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范
Specification for establishing a wafer coordinatesystem
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
金属理化性能试验方法(H20/29)
金属物理性能试验方法(H21)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门:
国家标准化管理委员会
-
归口单位:
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
-
起草单位:
中国有色金属工业总公司
相关人员
关联标准
-
GB/T 6521-1986
氧化铝粉末安息角的测定
-
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
YS/T 535.5-2009
氟化钠化学分析方法 第5部分:可溶性硫酸盐含量的测定 浊度法
-
GB/T 10562-1989
金属材料超低膨胀系数测定方法 光干涉法
-
YS/T 438.4-2013
砂状氧化铝物理性能测定方法 第4部分:比表面积的测定
-
YS/T 455.6-2003
铝箔试验方法 第6部分:铝箔其它相关试验方法
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
YS/T 273.10-2006
冰晶石化学分析方法和物理性能测定方法 第10部分:重量法测定游离氧化铝含量
-
GB/T 4192-1984
电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法
-
GB/T 12964-1996
硅单晶抛光片
-
GB/T 4104-2017
直接法氧化锌白度检验方法
-
GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
-
YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
-
YS/T 438.4-2001
砂状氧化铝物理性能测定方法 比表面积的测定
-
GB/T 32282-2015
氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
GB/T 34612-2017
蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法
-
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
-
SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量