收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范
Specification for establishing a wafer coordinatesystem
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
金属理化性能试验方法(H20/29)
金属物理性能试验方法(H21)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门:
国家标准化管理委员会
-
归口单位:
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
-
起草单位:
中国有色金属工业总公司
相关人员
关联标准
-
YS/T 581.14-2006
氟化铝化学分析方法和物理性能测定方法 第14部分:松装密度的测定
-
GB/T 5252-2006
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
-
GB/T 15250-1994
压电铌酸锂单晶体声波衰减测试方法
-
GB/T 4067-1999
金属材料电阻温度特征参数的测定
-
GB/T 41079.1-2021
液态金属物理性能测定方法 第1部分:密度的测定
-
GB/T 5985-2003
热双金属弯曲常数测量方法
-
GB/T 30859-2014
太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
-
GB/T 1551-1995
硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
YS/T 1065.2-2015
沸石物理性能测定方法 第2部分:粒度的测定 离心沉降法
-
YS/T 1166-2016
高纯四氯化锗红外透过率的测定方法
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
GB/T 3170.2-1982
铝粉粒度的测定 风力手动筛分法
-
YS/T 24-2016
外延钉缺陷的检验方法
-
GB/T 6524-2003
金属粉末 粒度分布的测量 重力沉降光透法
-
GB/T 21115-2007
块状氧化物超导体磁浮力的测量
-
GB/T 26071-2018
太阳能电池用硅单晶片
-
YS/T 273.7-2006
冰晶石化学分析方法和物理性能测定方法 第7部分:邻二氮杂菲分光光度法测定三氧化二铁含量
-
SJ/T 11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 30537-2014
超导电性 块状高温超导体的测量 大晶粒氧化物超导体的俘获磁通密度