收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method
基本信息
-
标准号:
GB/T 17170-1997
-
名称:
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
-
英文名称:
Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method
-
状态:
废止
-
类型:
国家标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
1997-12-22
-
实施日期:
1998-08-01
-
废止日期:
2016-07-01
-
相关公告:
修订公告【关于批准发布《内六角平圆头螺钉》等296项国家标准的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
金属理化性能试验方法(H20/29)
金属物理性能试验方法(H21)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门:
国家标准化管理委员会
-
归口单位:
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
-
起草单位:
电子工业部第四十六研究所
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
-
GB/T 8754-1988
铝及铝合金阳极氧化 应用击穿电位测定法检验绝缘性
-
YS/T 533-2006
自熔合金粉末固-液相线温度区间的测定方法
-
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
-
YS/T 679-2018
非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
-
YS 68-2004
砷
-
GB/T 10562-1989
金属材料超低膨胀系数测定方法 光干涉法
-
YS/T 864-2013
铜及铜合金板带箔材表面清洁度检验方法
-
GB/T 3171.2-1982
铝粉松装密度的测定 容量计法
-
GB/T 40279-2021
硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
-
GB/T 2881-2014e
工业硅
-
YS/T 535.10-2009
氟化钠化学分析方法 第10部分:试样的制备和贮存
-
GB/T 3217-1992
永磁(硬磁)材料磁性试验方法
-
GB/T 6148-2005
精密电阻合金电阻温度系数测试方法
-
YS/T 1002-2014
铝电解阳极效应系数和效应持续时间的计算方法
-
GB/T 32188-2015
氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
-
GB/T 1555-1997
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 18036-2000
铂铑热电偶细丝的热电动势测量方法
-
YS/T 438.5-2013
砂状氧化铝物理性能测定方法 第5部分:X-射线衍射法测定α-氧化铝含量
-
GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片