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GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 17170-1997
  • 名称:
    非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
  • 英文名称:
    Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method
  • 状态:
    废止
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    1997-12-22
  • 实施日期:
    1998-08-01
  • 废止日期:
    2016-07-01
  • 相关公告:
    修订公告【关于批准发布《内六角平圆头螺钉》等296项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    电气工程(29) 半导体材料(29.045)
  • CCS分类:
    冶金(H) 金属理化性能试验方法(H20/29) 金属物理性能试验方法(H21)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    暂无
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
  • 归口单位:
    全国半导体材料和设备标准化技术委员会
  • 起草单位:
    电子工业部第四十六研究所
相关人员
暂无
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