收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 8646-1998 半导体键合铝-1%硅细丝
Fine aluminium-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding基本信息
- 标准号:GB/T 8646-1998
- 名称:半导体键合铝-1%硅细丝
- 英文名称:Fine aluminium-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
- 状态:废止
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:1998-07-15
- 实施日期:1999-02-01
- 废止日期:2007-09-29
- 相关公告:暂无
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:暂无
- 引用标准:暂无
相关标准
- 代替标准:GB 8646-1988
- 引用标准:GB/T 191-90 GB 6987.1~6987.21-86 GB/T 8750-1997 GB/T 10573-89 GB/T 15077-94 SJ/T 10705-96
- 采用标准:ASTM F487-88 (非等效采用 NEQ)
相关部门
- 主管部门:中国有色金属工业协会
- 归口单位:全国有色金属标准化技术委员会
- 起草单位:北京有色金属与稀土应用研所
相关人员
暂无
关联标准
- SJ 20866-2003 交叉辗压钼铼合金片规范
- GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
- GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 14139-2009 硅外延片
- YS 68-2004 砷
- GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
- GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
- GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片
- GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
- GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
- GB/T 11071-1989 区熔锗锭
- GB/T 14139-1993 硅外延片
- GB/T 26069-2010 硅退火片规范
- GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- GB/T 2881-2014e 工业硅
- GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
- GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 12964-1996 硅单晶抛光片
- GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法