收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 8646-1998 半导体键合铝-1%硅细丝
Fine aluminium-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属（H81）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
主管部门：
中国有色金属工业协会
-
归口单位：
全国有色金属标准化技术委员会
-
起草单位：
北京有色金属与稀土应用研所
相关人员
关联标准
-
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
-
GB/T 35305-2017
太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
-
GB/T 20229-2022
磷化镓单晶
-
GB/T 29850-2013
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
-
YS/T 724-2016
多晶硅用硅粉
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
GB/T 11094-2020
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
-
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
-
GB/T 29504-2013
300mm 硅单晶
-
GB/T 35316-2017
蓝宝石晶体缺陷图谱
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
-
GB/T 25076-2010
太阳电池用硅单晶
打开设置，点击
执行注册
