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GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
基本信息
标准号:
GB/T 6219-1998
名称:
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
英文名称:
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
状态:
现行
类型:
国家标准
性质:
推荐性
发布日期:
1998-11-17
实施日期:
1999-06-01
废止日期:
暂无
相关公告:
暂无
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分类信息
ICS分类:
【
电子学(31)
半导体分立器件(31.080)
三极管(31.080.30)
】
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
半导体分立器件(L40/49)
半导体三极管(L42)
】
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门:
工业和信息化部(电子)
起草单位:
电子工业部标准化所
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