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SJ/T 11226-2000 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管

Detail specification for electronic components Type 3DA505 L band silicon pulse power transistor
基本信息
  • 标准号：
    SJ/T 11226-2000
  • 名称：
    电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管
  • 英文名称：
    Detail specification for electronic components Type 3DA505 L band silicon pulse power transistor
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    行业标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2000-08-16
  • 实施日期：
    2000-10-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电子学（31） 半导体分立器件（31.080） 三极管（31.080.30） 】
  • CCS分类：
    【 电子元器件与信息技术（L） 半导体分立器件（L40/49） 半导体三极管（L42） 】
  • 行标分类：
    【 电子（SJ） 】
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GB/T 7576-1998《半导体器件 分立器件 第7部分双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》标准制订的，符合GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1999《半导体器件 分立器件分规范》的II类要求。本规范引用的标准有GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管》、GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》、GB/T 4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》和GJB 128A-97《半导体分立器件试验方法》。
  • 引用标准：
    暂无
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暂无
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暂无
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暂无
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