收藏到云盘
纠错反馈
SJ 50033/157-2002 半导体分立器件 3DA506型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA506 silicon microwave pulse power transistor
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
暂无
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
半导体分立器件（L40/49）
半导体分立器件综合（L40）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
提出部门：
中华人民共和国信息产业部
-
归口单位：
信息产业部电子第四研究所
-
起草单位：
信息产业部电子第四研究所
相关人员
关联标准
-
GB/T 249-2017
半导体分立器件型号命名方法
-
GB/T 4937.15-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热
-
GB/T 4937.17-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照
-
SJ 1606-1980
硅双基极管峰点电流的测试方法
-
GB 12560-1990
半导体器件 分立器件分规范 (可供认证用)
-
GB/T 249-1989
半导体分立器件型号命名方法
-
GB/T 4937.18-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐照(总剂量)
-
GB/T 4937.22-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分：键合强度
-
GB/T 4937.19-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度
-
GB/T 4937-1995
半导体器件机械和气候试验方法
-
GB/T 18910.2-2003
液晶和固态显示器件 第2部分:液晶显示模块分规范
-
GB/T 18910.1-2002
液晶和固态显示器件 第1部分:总规范
-
SJ 1604-1980
硅双基极二极管发射极与第一基极间反向电流的测试方法
-
GB/T 4937.1-2006
半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分: 总则
-
GB/T 4937.2-2006
半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压
-
DB61/T 1250-2019
陕西省Sic（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范
-
SJ 1607-1980
硅双基极二极管调制电流的测试方法
-
GB/T 20870.1-2007
半导体器件 第16-1部分：微波集成电路 放大器
-
SJ 1603-1980
硅双基极二极管基极间电阻的测试方法
-
SJ 50033/154-2002
半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范
打开设置，点击
执行注册
