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SJ 50033/154-2002 半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor
基本信息
  • 标准号:
    SJ 50033/154-2002
  • 名称:
    半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范
  • 英文名称:
    Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    暂无
  • 性质:
    强制性
  • 发布日期:
    2002-10-30
  • 实施日期:
    2003-03-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    暂无
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分类信息
  • ICS分类:
    暂无
  • CCS分类:
    电子元器件与信息技术(L) 半导体分立器件(L40/49) 半导体分立器件综合(L40)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本规范规定了3DG251超高频低噪声晶体管的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 提出部门:
    中华人民共和国信息产业部
  • 归口单位:
    信息产业部电子第四研究所
  • 起草单位:
    中国电子科技集团公司第十三所
相关人员
  • 起草人:
    高林颖 王于辉 催波
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