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SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法

Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material
基本信息
  • 标准号：
    SJ 20858-2002
  • 名称：
    碳化硅单晶材料电学参数测试方法
  • 英文名称：
    Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    暂无
  • 性质：
    强制性
  • 发布日期：
    2002-12-12
  • 实施日期：
    2003-05-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
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分类信息
  • ICS分类：
    暂无
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84） 元素半导体材料（H82） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
暂无
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子科技集团公司第四十六所
相关人员
暂无
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