收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
起草单位:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
-
主管部门:
国家标准化管理委员会
-
归口单位:
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
相关人员
关联标准
-
GB/T 24575-2009
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 29055-2019
太阳能电池用多晶硅片
-
YS/T 989-2014
锗粒
-
GB/T 26071-2018
太阳能电池用硅单晶片
-
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
-
GB/T 2881-2014
工业硅
-
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
-
YS/T 988-2014
羧乙基锗倍半氧化物
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
GB/T 14264-2009
半导体材料术语
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片