收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
起草单位:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
-
主管部门:
国家标准化管理委员会
-
归口单位:
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
相关人员
关联标准
-
YS/T 14-1991
导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法
-
YS/T 13-2015
高纯四氯化锗
-
GB/T 24575-2009
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
-
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
-
GB/T 30854-2014
LED发光用氮化镓基外延片
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
SJ/T 11497-2015
砷化镓晶片热稳定性的试验方法
-
GB/T 41652-2022
刻蚀机用硅电极及硅环
-
GB/T 26071-2018
太阳能电池用硅单晶片
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
-
GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
-
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
-
GB/T 29508-2013
300mm 硅单晶切割片和磨削片
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
-
GB/T 14139-2019
硅外延片
-
DB36/ 652-2012
江西省太阳能级多晶硅单位产品能源消耗限额
-
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法