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GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 13151-2005
  • 名称:
    半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
  • 英文名称:
    Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2005-03-23
  • 实施日期:
    2005-10-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    暂无
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分类信息
  • ICS分类:
    电子学(31) 半导体分立器件(31.080) 晶体闸流管(31.080.20)
  • CCS分类:
    电工(K) 输变电设备(K40/49) 电力半导体器件、部件(K46)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    暂无
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
  • 代替标准:
    GB/T 13151-1991
  • 采用标准:
    IEC 60747-6-3:1993 (等同采用 IDT)
相关部门
  • 归口单位:
    全国半导体器件标准化技术委员会
  • 起草单位:
    全国半导体器件标准化技术委员会
  • 主管部门:
    工业和信息化部(电子)
相关人员
暂无
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