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GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 13151-2005
  • 名称：
    半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
  • 英文名称：
    Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2005-03-23
  • 实施日期：
    2005-10-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    暂无
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 13151-1991
  • 采用标准：
    IEC 60747-6-3:1993 （等同采用 IDT）
相关部门
  • 归口单位：
    全国半导体器件标准化技术委员会
  • 起草单位：
    全国半导体器件标准化技术委员会
  • 主管部门：
    工业和信息化部（电子）
相关人员
暂无
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