收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 20230-2006 磷化铟单晶
Indium phosphide single crystal
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
化合物半导体材料(H83)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
起草单位:
中国电子科技集团第十三研究所
-
归口单位:
信息产业部(电子)
-
主管部门:
信息产业部(电子)
相关人员
关联标准
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
YS/T 43-1992
高纯砷
-
GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
YS/T 651-2007
二氧化硒
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
-
GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
-
GB/T 2881-2014e
工业硅
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
YS/T 679-2008
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
-
GB/T 31092-2014
蓝宝石单晶晶锭
-
YS/T 982-2014
氢化炉碳/碳复合材料U形发热体
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
GB/T 1553-2009
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
-
GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片
-
GB/T 41652-2022
刻蚀机用硅电极及硅环