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GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density基本信息
- 标准号:GB/T 8760-2006
- 名称:砷化镓单晶位错密度的测量方法
- 英文名称:Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2006-07-18
- 实施日期:2006-11-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】、【 】
- CCS分类:【 】、【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:本标准适用于位错密度为(0~100 000)个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。
- 引用标准:暂无
相关标准
- 代替标准:GB/T 8760-1988
相关部门
- 提出部门:中国有色金属工业协会
- 归口单位:中国有色金属工业协会
- 主管部门:中国有色金属工业协会
- 起草单位:北京有色金属研究总院
相关人员
暂无
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