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GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法

Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 8760-2006
  • 名称:
    砷化镓单晶位错密度的测量方法
  • 英文名称:
    Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2006-07-18
  • 实施日期:
    2006-11-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【】
    修订公告【关于批准发布《金属材料 夏比摆锤冲击试验方法》等106项推荐性国家标准和5项国家标准修改单的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    【 冶金(77) 金属材料试验(77.040) 金属材料试验综合(77.040.01) 】、
    【 冶金(77) 金属材料试验(77.040) 金属材料化学分析(77.040.30) 】
  • CCS分类:
    【 冶金(H) 金属化学分析方法(H10/19) 稀有金属及其合金分析方法(H14) 】、
    【 冶金(H) 金属化学分析方法(H10/19) 半金属及半导体材料分析方法(H17) 】
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本标准适用于位错密度为(0~100 000)个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
  • 代替标准:
    GB/T 8760-1988
相关部门
  • 提出部门:
    中国有色金属工业协会
  • 归口单位:
    中国有色金属工业协会
  • 主管部门:
    中国有色金属工业协会
  • 起草单位:
    北京有色金属研究总院
相关人员
暂无
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