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GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave devices
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 20516-2006
  • 名称：
    半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件
  • 英文名称：
    Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave devices
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2006-10-10
  • 实施日期：
    2007-02-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准给出了以下门类分立器件的标准：
    ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管（用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等）
    ——混频二极管和检波二极管
    ——雪崩二极管（用于谐波发生器、放大器等）
    ——体效应二极管（用于振荡器、放大器等）
    ——双极型晶体管（用于放大器、振荡器等）
    ——场效应晶体管（用于放大器、振荡器等）
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 采用标准：
    IEC 60747-4:2001 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件 （等同采用 IDT）
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子科技集团公司第五十五研究所
  • 归口单位：
    全国半导体器件标准化技术委员会
  • 主管部门：
    工业和信息化部（电子）
相关人员
暂无
关联标准