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GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
Polycrystalline silicon - examination method - vacuum zone - melting on boron
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
金属材料试验综合（77.040.01）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属化学分析方法（H10/19）
半金属及半导体材料分析方法（H17）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准是对国家标准GB/T4060-1983《硅多晶真空区熔基硼检验方法》的修订。
本标准与GB/T4060-1983相比,主要变动如下:
---检测杂质浓度范围扩大为0.002×10-9~100×10-9;
---增加了规范性引用文件、术语、允许差、计算;
---将原标准中的第5章检验条件修订为干扰因素;
---将原标准中的取样位置修订为距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm;
---将原标准中的试样尺寸范围修订为直径15mm~20mm,长度为180mm。
本标准自实施之日起,同时代替GB/T4060-1983。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨眉半导体材料厂。
本标准主要起草人:罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T4060-1983。
-
适用范围：
本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。
本标准检测杂质浓度有效范围：0.002×10-9～100×10-9。
-
引用标准：
暂无
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