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GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法

Polycrystalline silicon - examination method - zone - melting on phosphorus under controlled atomosphere
基本信息
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准是对GB/T4059-1983《硅多晶气氛区熔基磷检验方法》的修订。本标准修改采用了ASTM F1723-1996《用悬浮区熔法晶体生长和光谱学方法评价多晶硅棒的标准》。
    本标准与ASTM F1723?1996的一致性程度是修改采用,其差异如下:
    ---删去了ASTM F1723?1996第9章危害,因此,使用本标准时应建立相应的安全操作规范;
    ---删去了ASTMF1723?1996第5章意义和用途、第10章10.2.3条垂直取芯、第15章关键词。
    本标准与原标准相比,主要变化如下:
    ---检测杂质浓度范围扩大为0.002ppba~100ppba;
    ---采用ASTM F1723?96规定的施主杂质测量范围替代原GB/T4059-1983的测量范围;
    ---依据ASTM F1723?96增加了用低温红外光谱和荧光光谱分析法测量样品中的磷杂质含量的方法;
    ---增加了规范性引用文件、术语、允许差、计算;
    ---删去了原标准中的附录A;
    ---将原标准中的第5章检验条件修订为干扰因素;
    ---将原标准中的取样位置修订为距多晶硅棒表面不低于5mm,距多晶硅棒底部不低于50mm;
    ---将原标准中的试样尺寸范围修订为直径15mm~20mm、长度为180mm;
    ---将原标准中的检验结果尺寸修订为10mm~15mm。
    本标准自实施之日起,同时代替GB/T4059-1983。
    本标准由中国有色金属工业协会提出。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
    本标准起草单位:峨眉半导体材料厂。
    本标准主要起草人:罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东。
    本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
    ---GB/T4059-1983。
  • 适用范围：
    本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。
    本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10-9~100×10-9。
  • 引用标准：
    下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
    GB/T1551 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法
    GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
    GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
    GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
    GB/T13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
    GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 4059-1983
  • 引用标准：
    GB/T 1551 GB/T 1553 GB/T 1554 GB/T 1555 GB/T 13389 GB/T 14264
  • 采用标准：
    ASTM F 1723-1996 （修改采用 MOD）
相关部门
  • 提出部门：
    中国有色金属工业协会
  • 主管部门：
    中国有色金属工业协会
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
  • 起草单位：
    蛾眉半导体材料厂
相关人员
暂无
关联标准