收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
Liquid encapsulated czochralski - grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准是对GB/T11093-1989《液封直拉法砷化镓单晶及切割片》的修订。
本标准与GB/T11093-1989相比,主要有如下变动:
---单晶和切割片的牌号按照GB/T14844《半导体材料牌号表示方法》进行了修订;
---增加了76.2mm(3in)、100mm、125mm 和150mm 规格的产品;
---增加了掺入碳等杂质元素的产品;
---去掉了40mm 规格的产品;
---取消了按位错密度对产品进行分级。
本标准自实施之日起,代替GB/T11093-1989。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:北京有色金属研究总院。
本标准主要起草人:张峰翊、郑安生。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11093-1989。
-
适用范围：
本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。
本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T8760 砷化镓单晶位错密度测量方法
GB/T13387 电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14844 半导体材料牌号表示方法
GJB1927 砷化镓单晶材料测试方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
GB/T 30858-2014
蓝宝石单晶衬底抛光片
-
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
-
GB/T 32573-2016
硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
-
GB/T 25074-2010
太阳能级多晶硅
-
GB/T 29849-2013
光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
GB/T 25076-2010
太阳电池用硅单晶
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
-
GB/T 29504-2013
300mm 硅单晶
-
GB/T 11070-2006
还原锗锭
-
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
-
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
-
GB/T 29851-2013
光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 32279-2015
硅片订货单格式输入规范
打开设置，点击
执行注册
