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GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准是对GB/T11094-1989《水平法砷化镓单晶及切割片》的修订。
本标准与原标准相比,主要变动如下:
---单晶生长方向上增加了近几年在生产中大量使用的晶带上由B 方向向最远的A 方向偏转0°~20°生长单晶,明确提出了生长偏角由生产工艺参数决定;
---明确了晶锭作为单晶产品;
---切割片中取消了目前基本已被淘汰的直径为?40mm、?50mm 以及矩形和D 形片的规定;
---增加了目前大量使用的直径?50.8mm、?63.5mm 切割片和国际上少量使用的直径?76mm切割片的规定等等。
本标准实施之日代替GB/T11094-1989。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:北京有色金属研究总院。
本标准主要起草人:武壮文、王继荣、张海涛、于洪国。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11094-1989。
-
适用范围：
本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。
本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
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