GB/T 11073-2007

硅片径向电阻率变化的测量方法

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

2007-09-11

2008-02-01

暂无

实施公告【】

本标准是对GB/T11073-1989《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订。本标准修改采用了ASTM F8101《硅片径向电阻率变化的测量方法》。
本标准与ASTM F8101的一致性程度为修改采用,主要差异如下:
---删去了ASTM F8101第4章意义和用途。
本标准与GB/T11073-1989相比主要变化如下:
---因GB/T 6615 已并入GB/T 1552,本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为GB/T1552,并将第2章规范性引用文件中的GB/T6615改为GB/T1552;
---采用ASTM F8101第8章计算中的计算方法替代原GB11073-1989中径向电阻率变化的计算方法;
---依据GB/T1552将电阻率的测量上限由1×103 Ω·cm 改为3×103 Ω·cm;
---将原GB/T11073-1989中第7章测量误差改为第4章干扰因素,并对其后各章章号作了相应调整;
---删去了原GB/T11073-1989中的表1,采用GB/T12965规定的直径偏差范围;
---将原GB/T11073-1989中的表2改为表1,并依据GB/T12965中的规定,在本标准中删去80.0mm 标称直径规格,增加了150.0mm 和200.0mm 标称直径规格。
本标准的附录A 是规范性附录。
本标准自实施之日起,同时代替GB/T11073-1989。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:梁洪、覃锐兵、王炎。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11073-1989。

本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T2828(所有部分) 计数抽样检验程序
GB/T6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片

GB/T 1552 GB/T 2828(所有部分) GB/T 6618-1995 GB/T 12965