GB/T 17473.7-2008

微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性测定

Test methods of precious metals pastes used for microelectronics - Determination of solderability and solderelaching resistance

2008-03-31

2008-09-01

暂无

实施公告【】
修订公告【关于批准发布《高标准农田建设 通则》等357项推荐性国家标准和4项国家标准修改单的公告】

本标准是对gb/t17473-1998 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订,分为7个部分:
---gb/t17473.1-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定;
---gb/t17473.2-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定;
---gb/t17473.3-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定;
---gb/t17473.4-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测试;
---gb/t17473.5-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 粘度测定;
---gb/t17473.6-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定;
---gb/t17473.7-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性?耐焊性测定?
本部分为gb/t17473-2008的第7部分?
本部分代替gb/t17473.7-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性?耐焊性试验》?
本部分与gb/t17473.7-1998相比,主要有如下变动:
---范围去除非贵金属浆料可焊浆料亦可参照使用内容;
---将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性?耐焊性测定;
---将原标准厚膜隧道烧结炉,温度范围为室温~1000℃?改为:厚膜隧道烧结炉,最高使用温度为1000℃,控制精度在±5℃;
---将原标准控制焊料熔融温度为235℃±5℃改为:根据不同的焊料确定温度;
---将原标准浸入和取出速度为(25±5)mm/s删除;
---将原标准导体浸入焊料界面深度为2mm改为导体浸入焊料界面深度为2mm 以下;
---将原标准浸入时间为5s±1s?浸入时间为10s±1s改为浸入时间根据不同浆料确定;
---将原标准8.1.1中在放大镜下观察,若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于95%,则为可焊性好,小于95%为可焊性差。
本部分由中国有色金属工业协会提出。
本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。
本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草。
本部分主要起草人：李文琳、陈伏生、马晓峰、朱武勋、李晋。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为：
---ｇｂ／ｔ１７４７３．７-１９９８。

本标准规定了微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定方法。
本标准适用于微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定。

暂无