收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 2881-2008 工业硅
Silicon metal
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属(H81)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准代替GB/T2881-1991《工业硅技术条件》。
本标准与GB/T2881-1991相比,主要变化如下:
---将标准名称由《工业硅技术条件》改为《工业硅》。
---化学用硅的牌号由原来的二个增加到四个,改变了原有对硅、铁、铝、钙元素含量的限制。冶金用硅也改变了对硅、铁、铝、钙元素含量的限制。
---粒度范围在保留原有的6mm~200mm 的基础上,增加了三个粒度级。
---将原标准中4.4.1取样方法进行修改。
---将原标准中4.4.2取样后的试样应全部通过0.175mm 的标准筛改为通过0.149mm 的标准筛。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。
本标准负责起草单位:山西晋能集团有限公司、包头铝业股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:张耀、王志明、董志忠、董剑雄、罗忠臣、沈清华。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T2881-1981,GB/T2881-1991。
-
适用范围:
本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单或合同内容。
本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。
-
引用标准:
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T8170 数值修约规则
GB/T14849(所有部分) 工业硅化学分析方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS/T 978-2014
单晶炉碳/碳复合材料导流筒
-
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
-
GB/T 8750-1997
半导体器件键合金丝
-
GB/T 26069-2010
硅退火片规范
-
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
GB/T 29852-2013
光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
GB/T 25074-2017
太阳能级多晶硅
-
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
-
GB/T 11093-2007
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 30652-2014
硅外延用三氯氢硅
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
YS/T 985-2014
硅抛光回收片
-
YS/T 223-1996
硒
-
GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
-
YS/T 15-1991
硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
-
GB/T 6624-2009
硅抛光片表面质量目测检验方法