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YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
基本信息
  • 标准号：
    YS/T 679-2008
  • 名称：
    非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
  • 英文名称：
    Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
  • 状态：
    被代替
  • 类型：
    行业标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2008-03-12
  • 实施日期：
    2008-09-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    修订公告【2019年第1号(总第229号)】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    本标准修改采用SEMIMF391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。
    本标准与SEMIMF391-1106相比主要有如下变化:
    ---标准格式按GB/T1.1要求编排;
    ---将SEMIMF391-1106中的部分注转换为正文;
    ---将SEMIMF391-1106中部分内容进行了编排。
    本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。
    本标准由有研半导体材料股份有限公司负责起草。
    本标准主要起草人:孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义。
  • 适用范围：
    .1　本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。
    1.2　本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
    1.3　本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.1～50）Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。
  • 引用标准：
    下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
    GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
    GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
    GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
    GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
    GB/T11446.1 电子级水
    GB/T14264 半导体材料术语
    GB/T14847 重掺衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 1552 GB/T 1553 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 11446.1 GB/T 14264 GB/T 14847
  • 采用标准：
    SEMI MF 391-1106 （修改采用 MOD）
相关部门
  • 起草单位：
    有研半导体材料股份有限公司
相关人员
暂无
关联标准