收藏到云盘
纠错反馈
YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。
本标准与SEMIMF391-1106相比主要有如下变化:
---标准格式按GB/T1.1要求编排;
---将SEMIMF391-1106中的部分注转换为正文;
---将SEMIMF391-1106中部分内容进行了编排。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。
本标准由有研半导体材料股份有限公司负责起草。
本标准主要起草人:孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义。
-
适用范围：
.1 本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。
1.2 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
1.3 本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.1～50）Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T11446.1 电子级水
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14847 重掺衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS/T 35.3-1992
高纯锑化学分析方法 发射光谱法测定铋量
-
YS/T 820.24-2012
红土镍矿化学分析方法 第24部分：湿存水量的测定 重量法
-
YS/T 758-2011
铝用炭素回转窑直线度测量方法
-
YS/T 119.12-2010
氧化铝生产专用设备 热平衡测定与计算方法 第12部分：间接加热脱硅系统
-
YS/T 981.5-2014
高纯铟化学分析方法 铊量的测定 罗丹明B吸光光度法
-
YS/T 95.2-2009
空调器散热片用铝箔 第2部分 涂层铝箔
-
YS/T 536.2-2009
铋化学分析方法 铁量的测定 电热原子吸收光谱法
-
YS/T 241-2013
钢球冷镦模具用硬质合金毛坯
-
YS 46-1992
架空游览车类 游艺机通用技术条件
-
YS 101-1992
铜冶炼企业产品能耗标准
-
YS/T 358.4-2011
钽铁、铌铁精矿化学分析方法 第4部分：三氧化钨量的测定 硫氰酸盐分光光度法
-
YS/T 568.7-2008
氧化锆、氧化铪化学分析方法 磷量的测定 锑盐-抗坏血酸-磷钼蓝分光光度法
-
YS/T 3004-2011
金精矿
-
YS/T 441.4-2001
有色金属平衡管理规范 锡选矿冶炼部分
-
YS/T 820.12-2012
红土镍矿化学分析方法 第12部分：锰量的测定 火焰原子吸收光谱法
-
YS/T 961-2014
空调与制冷设备用内螺纹铝包铜管
-
YS/T 3012-2012
黄金矿水害防治水化学分析技术规范
-
YS/T 612-2006
太阳能电池用浆料
-
YS 22-1992
锑酸钠
-
YS/T 643-2007
水合三氯化铱
打开设置，点击
执行注册
