收藏到云盘
纠错反馈
YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF391-1106《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。
本标准与SEMIMF391-1106相比主要有如下变化:
---标准格式按GB/T1.1要求编排;
---将SEMIMF391-1106中的部分注转换为正文;
---将SEMIMF391-1106中部分内容进行了编排。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。
本标准由有研半导体材料股份有限公司负责起草。
本标准主要起草人:孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义。
-
适用范围：
.1 本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。
1.2 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
1.3 本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.1～50）Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T11446.1 电子级水
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14847 重掺衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
YS/T 423.2-2000
核极碳化硼粉末化学分析方法 总碳量的测定
-
YS/T 563-2009
贵金属合金化学分析方法 铂钯铑合金中钯量、铑量的测定 丁二肟重量法、氯化亚锡分光光度法
-
YS/T 886-2013
纯钛型材
-
YS/T 86-1994
船用焊接铝合金型材尺寸和截面特性
-
YS/T 874-2013
水浸变形铝合金圆铸锭超声波检验方法
-
YS/T 248.4-2007
粗铅化学分析方法 砷量的测定 砷锑钼蓝分光光度法和萃取－碘滴定法
-
YS/T 646-2007
铂化合物分析方法 铂量的测定 高锰酸钾电流滴定法
-
YS/T 593-2006
水合三氯化铑
-
YS/T 609-2006
铂电极浆料
-
YS/T 1215-2018
N-烯丙基-O-异丁基硫代氨基甲酸酯
-
YS/T 663-2007
电解铝生产专用设备 热平衡测定与计算方法 铝液保持炉
-
YS/T 568.5-2008
氧化锆、氧化铪化学分析方法 钠量的测定 火焰原子吸收光谱法
-
YS/T 1155-2016
铜铟镓硒合金粉
-
YS/T 237-2011
选矿药剂产品分类、牌号、命名
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
YS/T 474-2021
高纯镓化学分析方法 痕量元素的测定 电感耦合等离子体质谱法
-
YS/T 273.11-2006
冰晶石化学分析方法和物理性能测定方法 第11部分：X射线荧光光谱分析法测定硫含量
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
-
YS/T 535.1-2009
氟化钠化学分析方法 第1部分：湿存水含量的测定 重量法
-
YS/T 575.22-2021
铝土矿石化学分析方法 第22部分：湿存水含量的测定 重量法
打开设置，点击
执行注册
