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GB/T 13539.4-2009 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 13539.4-2009
  • 名称:
    低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
  • 英文名称:
    Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
  • 状态:
    废止
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2009-04-21
  • 实施日期:
    2009-11-01
  • 废止日期:
    2016-11-01
  • 相关公告:
    实施公告【】
    修订公告【关于批准发布《团体标准化 第1部分:良好行为指南》等203项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    电气工程(29) 电工器件(29.120) 熔断器和其他过载保护装置(29.120.50)
  • CCS分类:
    电工(K) 低压电器(K30/39) 低压配电电器(K31)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    GB13539《低压熔断器》预计分为五个部分:
    ---第1部分:基本要求;
    ---第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至I;
    ---第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至F;
    ---第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求;
    ---第5部分:低压熔断器应用指南。
    本部分为GB13539的第4部分,本部分等同采用IEC60269?4:2006《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求》(英文版)。
    为便于使用,本部分作了下列编辑性修改:
    ---删除国际标准的前言和引言;
    ---删除原表、图及部分条款下的编辑性注释;
    ---原7.4中倒数第二行熔体不应熔化疑有误,改为熔断体不应熔断;
    ---原图102约定试验装置举例中右图上标③疑有误,改为②。
    本部分与GB13539.1-2008一起使用。本部分的条款号与GB13539.1相对应。
    本部分代替GB/T13539.4-2005《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求》
    和GB/T13539.7-2005《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 第1至3篇:
    标准化熔断体示例》。本部分主要由原GB/T13539.4及GB/T13539.7全部内容合并而成。
    本部分与GB/T13539.4-2005和GB/T13539.7-2005相比主要变化如下:
    ---原GB/T13539.4-2005中附录A 规范性附录改为资料性附录,原附录B 资料性附录改为规范性附录;原GB/T13539.7-2005内容改为本部分附录C 内容;
    ---图C.2表中原F最大值改为F名义值;
    ---图C.7表中最后一栏H 最大值倒数第6行,原为0.4,现改为33.4。
    本部分的附录B、附录C 为规范性附录,附录A 为资料性附录。
    本部分由中国电器工业协会提出。
    本部分由全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC340)归口。
    本部分负责起草单位:上海电器科学研究所(集团)有限公司。
    本部分参加起草单位:上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂、浙江西熔电气有限公司、人民电器集团有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司。
    本部分主要起草人:季慧玉、吴庆云。
    本部分参加起草人:林海鸥、刘双库、李全安、郎建才、黄章武、郑爱国。
    本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
    ---GB13539.4-1992、GB/T13539.4-2005;
    ---GB/T13539.7-2005。
  • 适用范围:
    本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。
  • 引用标准:
    下列文件中的条款通过GB/T13539的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分,然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分。
    GB/T321-2005 优先数和优先数系(ISO3:1973,IDT)
    GB13539.1-2008 低压熔断器 第1部分:基本要求(IEC60269?1:2006,IDT)
    GB/T13539.2-2008 低压熔断器 第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至I(IEC60269?2:2006,IDT)
    GB13539.3-2008 低压熔断器 第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A 至F(IEC60269-3:2006,IDT)
    IEC60417 设备用图形符号
相关标准
  • 代替标准:
    GB/T 13539.7-2005 GB/T 13539.4-2005
  • 引用标准:
    GB/T 321-2005 GB 13539.1-2008 GB/T 13539.2-2008 GB 13539.3-2008 IEC 60417
  • 采用标准:
    IEC 60269-4:2006 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 (等同采用 IDT)
相关部门
  • 提出部门:
    中国电器工业协会
  • 归口单位:
    全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)
  • 主管部门:
    全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)
  • 起草单位:
    上海电器陶瓷厂有限公司 上海电器科学研究所 集团有限公司 西安西整熔断器厂等
相关人员
暂无
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