收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
Testing methods for surface flatness of silicon slices
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T6621-1995《硅抛光片表面平整度测试方法》。
本标准与GB/T6621-1995相比,主要变动如下:
---将名称修改为硅片表面平整度测试方法;
---去掉了目前较少采用的干涉法,只保留了目前常用的电容法;
---增加引用标准;
---对方法提要、仪器装置、测量程序、计算进行了全面修改;
---经实验重新确定了精密度;
---在第一章增加本标准适用的试样范围;
---在试样一章中说明对所测试样的要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准主要起草单位:上海合晶硅材料有限公司。
本标准主要起草人:徐新华、严世权、王珍。
本标准所替代标准的历次版本发布情况为:
---GB/T6621-1986、GB/T6621-1995。
-
适用范围：
本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
-
引用标准：
暂无
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 29851-2013
光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 29054-2019
太阳能电池用铸造多晶硅块
-
GB/T 30861-2014
太阳能电池用锗衬底片
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
-
GB/T 26067-2010
硅片切口尺寸测试方法
-
GB/T 12964-1996
硅单晶抛光片
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
-
GB/T 14140-2009
硅片直径测量方法
-
YS 68-2004
砷
-
GB/T 25074-2017e
太阳能级多晶硅
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
-
YS/T 43-1992
高纯砷
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
-
GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
-
SJ/T 11497-2015
砷化镓晶片热稳定性的试验方法
-
GB/T 11094-2020
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 11093-2007
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
-
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
-
GB/T 29055-2019
太阳能电池用多晶硅片
打开设置，点击
执行注册
