收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF15281104《用二次离子质谱法测量重搀杂N 型硅衬底中的硼污染的方
法》。本标准对SEMIMF15281104格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B 中列出了
本标准章条和SEMIMF15281104章条对照一览表。并对SEMIMF15281104条款的修改处用垂直
单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF15281104相比,主要技术差异如下:
---去掉了目的?关键词;
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A 。
本标准附录A 和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心?中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:马农农、何友琴、丁丽。
-
适用范围：
暂无
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
ASTM E122 评价一批产品或一个工艺过程质量的样品大小的选择规范
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
信息产业部专用材料质量监督检验中心
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
-
GB/T 26069-2010
硅退火片规范
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
-
YS/T 543-2015
半导体键合用铝-1%硅细丝
-
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
-
GB/T 29851-2013
光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
YS/T 724-2016
多晶硅用硅粉
-
GB/T 16595-1996
晶片通用网格规范
-
GB/T 5238-2019
锗单晶和锗单晶片
-
GB/T 25074-2017e
太阳能级多晶硅
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 25074-2017
太阳能级多晶硅
-
YS/T 43-2011
高纯砷
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
YS/T 989-2014
锗粒
打开设置，点击
执行注册
