收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF15281104《用二次离子质谱法测量重搀杂N 型硅衬底中的硼污染的方
法》。本标准对SEMIMF15281104格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B 中列出了
本标准章条和SEMIMF15281104章条对照一览表。并对SEMIMF15281104条款的修改处用垂直
单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF15281104相比,主要技术差异如下:
---去掉了目的?关键词;
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A 。
本标准附录A 和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心?中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:马农农、何友琴、丁丽。
-
适用范围：
暂无
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
ASTM E122 评价一批产品或一个工艺过程质量的样品大小的选择规范
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
信息产业部专用材料质量监督检验中心
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
关联标准
-
GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
-
GB/T 16596-1996
确定晶片坐标系规范
-
YS/T 43-2011
高纯砷
-
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
-
GB/T 32279-2015
硅片订货单格式输入规范
-
GB/T 6624-2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
-
GB/T 25076-2018
太阳能电池用硅单晶
-
GB/T 12963-1996
硅多晶
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
GB/T 29055-2019
太阳能电池用多晶硅片
-
GB/T 19199-2003
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
-
DB35/T 1146-2011
福建省硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
YS/T 43-1992
高纯砷
-
YS/T 99-1997
三氧化二砷
-
YS/T 224-1994
铊
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
GB/T 24577-2009
热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
-
YS/T 989-2014
锗粒
打开设置，点击
执行注册
