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GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF1724-1104《采用酸萃取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污》。
本标准对SEMIMF1724-1104格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录C 中列出了本标准章条和SEMIMF17241104章条对照一览表。并对SEMIMF17241104条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF17241104相比,主要技术差异如下:
---去掉了目的、关键词。
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录B。
本标准的附录A、附录B和附录C 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:褚连青、王奕、魏利洁。
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适用范围：
暂无
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引用标准：
暂无
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