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GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准的附录A 为规范性附录,附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、李俊峰、楼春兰、卢立延、张静、翟富义。
-
适用范围：
1.1 本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法，本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2 本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。
-
引用标准：
暂无
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