收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography基本信息
- 标准号:GB/T 24577-2009
- 名称:热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
- 英文名称:Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2009-10-30
- 实施日期:2010-06-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:本标准修改采用SEMIMF19821103《热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法》。
本标准对SEMIMF19821103格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMIMF19821103章条对照一览表。并对SEMIMF19821103条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF13890704相比,主要技术差异如下:
---去掉了目的、关键词;
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中
的精度和偏差部分作为资料性附录A。
本标准的附录A、附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:王奕、褚连青、李静。 - 适用范围:1.1 本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2 本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。
- 引用标准:暂无
相关标准
- 引用标准:ASTM D6196
- 采用标准:SEMI MF1982-1103 热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法 (修改采用 MOD)
相关部门
- 起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所 信息产业部专用材料质量监督检验中心
- 主管部门:国家标准化管理委员会
- 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
- 提出部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
暂无
关联标准
- GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片
- GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
- YS/T 982-2014 氢化炉碳/碳复合材料U形发热体
- GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
- GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范
- YS/T 28-1992 硅片包装
- YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉
- SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
- GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范
- GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- YS/T 26-1992 硅片边缘轮廓检验方法
- GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
- GB/T 12963-2009 硅多晶
- GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法
- GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
- YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝
- GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范
- GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片