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GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物

Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 24577-2009
  • 名称:
    热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
  • 英文名称:
    Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2009-10-30
  • 实施日期:
    2010-06-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【】
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分类信息
  • ICS分类:
    电气工程(29) 半导体材料(29.045)
  • CCS分类:
    冶金(H) 半金属与半导体材料(H80/84) 半金属与半导体材料综合(H80)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    本标准修改采用SEMIMF19821103《热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法》。
    本标准对SEMIMF19821103格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMIMF19821103章条对照一览表。并对SEMIMF19821103条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
    本标准与SEMIMF13890704相比,主要技术差异如下:
    ---去掉了目的、关键词;
    ---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中
    的精度和偏差部分作为资料性附录A。
    本标准的附录A、附录B为资料性附录。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
    本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
    本标准主要起草人:王奕、褚连青、李静。
  • 适用范围:
    1.1 本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2 本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
  • 引用标准:
    ASTM D6196
  • 采用标准:
    SEMI MF1982-1103 热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法 (修改采用 MOD)
相关部门
  • 起草单位:
    中国电子科技集团公司第四十六研究所 信息产业部专用材料质量监督检验中心
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
  • 归口单位:
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
  • 提出部门:
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
暂无
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