收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准技术内容等同采用SMEIM630306《准则:采用高分辨率X 光衍射法测量砷化镓衬底上
AlGaAs中Al百分含量的测试方法》。本标准对SMEIM630306进行了编辑性修改。
本标准的附录A 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:章安辉、黄庆涛、何秀坤。
-
适用范围:
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。
-
引用标准:
暂无
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
-
GB/T 30652-2014
硅外延用三氯氢硅
-
GB/T 30854-2014
LED发光用氮化镓基外延片
-
GB/T 29508-2013
300mm 硅单晶切割片和磨削片
-
YS/T 15-1991
硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
-
GB/T 31474-2015
电子装联高质量内部互连用助焊剂
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 40566-2021
流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
GB/T 17169-1997
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
SJ/T 11491-2015
短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
-
YS/T 988-2014
羧乙基锗倍半氧化物
-
YS/T 989-2014
锗粒
-
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
-
GB/T 2881-2014e
工业硅