收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
基本信息
-
标准号：
GB/T 24575-2009
-
名称：
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
-
英文名称：
Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
-
状态：
现行
-
类型：
国家标准
-
性质：
推荐性
-
发布日期：
2009-10-30
-
实施日期：
2010-06-01
-
废止日期：
暂无
-
相关公告：
实施公告【】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF1617-0304《二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表面上钠、铝和钾》。
本标准对SEMIMF1617-0304格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMIMF1617-0304章条对照一览表。并对SEMI16170304条款的修改处用垂直单线标识在
它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF1617-0304相比,主要技术差异如下:
---去掉了目的、关键词。
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A。
本标准的附录A 和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:何友琴、马农农、丁丽。
-
适用范围：
暂无
-
引用标准：
暂无
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
YS/T 985-2014
硅抛光回收片
-
GB/T 12963-2014
电子级多晶硅
-
SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
-
GB/T 26071-2010
太阳能电池用硅单晶切割片
-
GB/T 31092-2014
蓝宝石单晶晶锭
-
DB65/T 3485-2013
新疆维吾尔自治区太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
-
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
-
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
-
YS/T 1061-2015
改良西门子法多晶硅用硅芯
-
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
-
GB/T 30110-2013
空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
SJ/T 11503-2015
碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
YS/T 224-1994
铊
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
打开设置，点击
执行注册
