GB/T 24574-2009

硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities

现行

国家标准

推荐性

2009-10-30

2010-06-01

暂无

实施公告【】

暂无

本标准修改采用SEMIMF1389-0704《Ⅲ-Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法》。
本标准对SEMIMF1389-0704格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMIMF1389-0704章条对照一览表。并对SEMIMF13890704条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF1389-0704相比,主要技术差异如下:
---删除了目的、术语和定义中的讨论部分、偏差和关键词等章节的内容;
---删除了SEMIMF13890704中对砷铝含量测定的内容;
---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准SEMIMF1389-0704中的精度和偏
差部分,并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A 。
本标准的附录A 和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:李静、何秀坤、蔺娴。

本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂物浓度换算规程
GB/T24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法

GB/T 13389 GB/T 24581

SEMI MF1389-0704 Ⅲ－Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法 （修改采用 MOD）

中国电子科技集团公司第四十六研究所 信息产业部专用材料质量监督检验中心

国家标准化管理委员会

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

全国半导体设备和材料标准化技术委员会