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GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 13388-2009
  • 名称：
    硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
  • 英文名称：
    Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2009-10-30
  • 实施日期：
    2010-06-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电气工程（29） 半导体材料（29.045） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84） 半金属与半导体材料综合（H80） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    2.1　本标准规定了α角的测量方法，α角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。2.2　本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB/T 12964和GB/T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5°到+5°范围之内。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 13388-1992
  • 引用标准：
    GB/T 1555 GB/T 2828.1 GB/T 12964 GB/T 12965 GB/T 14264 ASTM E82 DIN 50433.3
  • 采用标准：
    SEMI MF847-0705 硅片参考面晶向X射线测试方法 （修改采用 MOD）
相关部门
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
  • 起草单位：
    有研半导体材料股份有限公司
相关人员
暂无
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