收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 13387-2009 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准修改采用SEMIMF6710705《硅及其他电子材料晶片参考面长度测试方法》。
本标准与SEMIMF6710705相比主要有如下变化:
---标准编写格式按GB/T1.1要求进行编写;
---增加了前言内容。
本标准代替GB/T13387-1992《电子材料晶片参考面长度测试方法》。
本标准与GB/T13387-1992相比主要有如下变化:
---细化了测量范围的内容,如该方法中涉及的公英制单位等;
---增加了该方法的局限性内容;
---增加了部分术语,定义了测量中用到的偏移;
---增加了引用标准;
---将原标准中的试样改为抽样章节;
---将校准和测量分为两章分别叙述;
---精密度采用了SEMIMF6710705中多个实验室间的评价,并附有较详细的说明。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司。
本标准主要起草人:杜娟、孙燕、卢立延。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T13387-1992。
-
适用范围:
暂无
-
引用标准:
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 17169-1997
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
GB/T 12963-1996
硅多晶
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 29054-2019
太阳能电池用铸造多晶硅块
-
GB/T 25074-2017
太阳能级多晶硅
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
-
GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
-
YS/T 15-1991
硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
-
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
-
GB/T 12965-2005
硅单晶切割片和研磨片
-
YS/T 543-2015
半导体键合用铝-1%硅细丝
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 12963-2014
电子级多晶硅
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
GB/T 29852-2013
光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
YS 68-2004
砷
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法