收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 13387-2009 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials基本信息
- 标准号:GB/T 13387-2009
- 名称:硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
- 英文名称:Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2009-10-30
- 实施日期:2010-06-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:本标准修改采用SEMIMF6710705《硅及其他电子材料晶片参考面长度测试方法》。
本标准与SEMIMF6710705相比主要有如下变化:
---标准编写格式按GB/T1.1要求进行编写;
---增加了前言内容。
本标准代替GB/T13387-1992《电子材料晶片参考面长度测试方法》。
本标准与GB/T13387-1992相比主要有如下变化:
---细化了测量范围的内容,如该方法中涉及的公英制单位等;
---增加了该方法的局限性内容;
---增加了部分术语,定义了测量中用到的偏移;
---增加了引用标准;
---将原标准中的试样改为抽样章节;
---将校准和测量分为两章分别叙述;
---精密度采用了SEMIMF6710705中多个实验室间的评价,并附有较详细的说明。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司。
本标准主要起草人:杜娟、孙燕、卢立延。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T13387-1992。 - 适用范围:暂无
- 引用标准:下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
- 代替标准:GB/T 13387-1992
- 引用标准:GB/T 2828.1 GB/T 14264
- 采用标准:SEMI MF671-0705 硅及其它电子材料晶片参考面长度测试方法 (修改采用 MOD)
相关部门
- 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
- 主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
- 提出部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 起草单位:有研半导体材料股份有限公司
相关人员
暂无
关联标准
- SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
- GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片
- GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片
- GB/T 8646-1998 半导体键合铝-1%硅细丝
- YS/T 1160-2016 工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
- GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底
- YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片
- GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块
- GB/T 2881-2014e 工业硅
- YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法
- SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法
- YS/T 223-1996 硒
- GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
- GB/T 40566-2021 流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
- GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
- GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
- GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片
- GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
- GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法