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GB/T 12963-2009 硅多晶
Specification for polycrystalline silicon基本信息
- 标准号:GB/T 12963-2009
- 名称:硅多晶
- 英文名称:Specification for polycrystalline silicon
- 状态:废止
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2009-10-30
- 实施日期:2010-06-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:本标准修改采用SEMIM161103:2003《多晶硅规范》,主要差异如下:
---增加了技术参数,如对基磷、基硼电阻率、碳浓度和n型少子寿命的等级要求;
---增加了硅多晶尺寸范围要求。
本标准代替GB/T12963-1996《硅多晶》。
本标准与GB/T12963-1996相比,主要有如下变动:
---基磷电阻率等级由300Ω·cm、200Ω·cm、100Ω·cm 修订为500Ω·cm、300Ω·cm、200Ω·cm;
---增加氧化夹层术语。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨眉半导体材料厂。
本标准主要起草人:罗莉萍、张辉坚、王炎。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T12963-1991、GB/T12963-1996。 - 适用范围:本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。
- 引用标准:下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1553 硅703505 0 -和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
相关标准
- 代替标准:GB/T 12963-1996
- 引用标准:GB/T 1550 GB/T 1553 GB/T 1558 GB/T 4059 GB/T 4060 GB/T 4061 GB/T 13389 GB/T 14264 ASTM F1723
- 采用标准:SEMI M16-1103:2003 多晶硅规范 (修改采用 MOD)
相关部门
- 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
- 主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
- 提出部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 起草单位:峨眉半导体材料厂
相关人员
暂无
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