收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T11072-1989《锑化铟多晶、单晶及切割片》。
本标准与GB/T11072-1989相比,主要有如下变化:
---将原标准中直径10mm~50mm 全部改为10mm~200mm;
---在原标准的基础上增加了直径>50mm,厚度不小于1200μm,厚度偏差±40μm;
---将原标准中位错密度级别1、2、3中直径≥30mm~50mm 全部改为≥30mm~200mm;
---在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm、200 mm 的切割片直径、参考面长度及其偏差;
---将原标准中的附录A 去掉,增加引用标准GB/T11297;
---增加了订货单(或合同)内容一章内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:王炎、何兰英、张梅。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11072-1989。
-
适用范围：
1.1 本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。1.2 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T4326 非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T8759 化合物半导体单晶晶向X 衍射测量方法
GB/T11297 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
GB/T 40566-2021
流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
-
GB/T 29849-2013
光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
YS/T 1510-2021
高纯锗粉
-
SJ/T 11488-2015
半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
GB/T 12963-2014
电子级多晶硅
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
GB/T 31474-2015
电子装联高质量内部互连用助焊剂
-
GB/T 20229-2022
磷化镓单晶
打开设置，点击
执行注册
