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GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
化合物半导体材料（H83）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T11072-1989《锑化铟多晶、单晶及切割片》。
本标准与GB/T11072-1989相比,主要有如下变化:
---将原标准中直径10mm~50mm 全部改为10mm~200mm;
---在原标准的基础上增加了直径>50mm,厚度不小于1200μm,厚度偏差±40μm;
---将原标准中位错密度级别1、2、3中直径≥30mm~50mm 全部改为≥30mm~200mm;
---在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm、200 mm 的切割片直径、参考面长度及其偏差;
---将原标准中的附录A 去掉,增加引用标准GB/T11297;
---增加了订货单(或合同)内容一章内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:王炎、何兰英、张梅。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11072-1989。
-
适用范围：
1.1 本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。1.2 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T4326 非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T8759 化合物半导体单晶晶向X 衍射测量方法
GB/T11297 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
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