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GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T6618-1995《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。
本标准与GB/T6618-1995相比,主要有如下变化:
---将适用范围扩展到外延片;
---增加了第4章干扰因素;
---增加了150mm 和200mm 两种规格的基准环的尺寸;
---增加了7.2仪器校正的内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:北京有研半导体材料股份有限公司。
本标准主要起草人:卢立延、孙燕、杜娟。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB6618-1986、GB/T6618-1995。
-
适用范围：
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
-
引用标准：
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1 部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
(GB/T2828.1-2003,ISO28591:1999,IDT)
GB/T12964 硅单晶抛光片
GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片
GB/T14139 硅外延片
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