收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 5238-2009 锗单晶和锗单晶片
Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
有色金属（77.120）
其他有色金属及其合金（77.120.99）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
有色金属及其合金产品（H60/69）
稀有分散金属及其合金（H66）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T5238-1995《锗单晶》和GB/T15713-1995《锗单晶片》。
本标准与GB/T5238-1995、GB/T15713-1995相比,主要有如下变动:
---扩大了锗单晶和锗单晶片的适用范围;
---删掉了锗单晶按电阻率允许偏差分成的三个等级和锗单晶片中的大圆片及小圆片;
---标准格式按GB/T1.1-2000《标准化工作导则》的要求进行了修改、补充和完善。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位:南京锗厂有限责任公司。
本标准主要起草人:张莉萍、吴玉麟。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB5238-1985,GB/T5238-1995,GB/T15713-1995。
-
适用范围：
本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容。
本标准适用于制作半导体器件、激光、外延衬底等用的锗单晶和锗单晶片。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰退法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划(GB/T2828.1-2003,ISO2859-1:1999,IDT)
GB/T5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T5254 锗单晶晶向X 光衍射测定方法
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 31964-2015
无水氯化镧
-
GB/T 4325.10-2013
钼化学分析方法 第10部分：铜量的测定 火焰原子吸收光谱法
-
GB/T 6150.14-2008
钨精矿化学分析方法 锰量的测定 硫酸亚铁铵容量法和火焰原子吸收光谱法
-
LY/T 1557-2000
名特优经济林基地建设技术规程
-
GB/T 4325.23-2013
钼化学分析方法 第23部分：氧量和氮量的测定 惰气熔融红外吸收法-热导法
-
GB/T 14635-2008e
稀土金属及其化合物化学分析方法 稀土总量的测定
-
GB/T 13747.16-2017
锆及锆合金化学分析方法 第16部分：氯量的测定 氯化银浊度法和离子选择性电极法
-
YS/T 540.4-2018
钒化学分析方法 第4部分：铁量的测定 1,10-二氮杂菲分光光度法
-
GB/T 3253.10-2009
锑及三氧化二锑化学分析方法 汞量的测定 原子荧光光谱法
-
GB/T 23595.1-2009
白光LED灯用稀土黄色荧光粉试验方法 第1部分：光谱性能的测定
-
GB/T 24981.1-2010
稀土长余辉荧光粉试验方法 第1部分：发射主峰和色品坐标的测定
-
GB/T 3260.4-2000
锡化学分析方法 铅量的测定
-
YS/T 857-2012
银条
-
GB/T 3260.11-2000
锡化学分析方法 镉量的测定
-
GB/T 16484.3-2009
氯化稀土、碳酸轻稀土化学分析方法 第3部分：15个稀土元素氧化物配分量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
-
GB/T 25942-2010
核级银-铟-镉合金棒
-
YS/T 3042-2021
氰化液化学分析方法 金量的测定
-
GB/T 12690.16-2010
稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 第16部分：氟量的测定 离子选择性电极法
-
YS/T 582-2006
电池级碳酸锂
-
YS/T 82-1994
光谱分析用铂基体
打开设置，点击
执行注册
