收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T1555-1997《半导体单晶晶向测定方法》。
本标准与GB/T1555-1997相比,主要有如下变化:
---增加了术语章;
---增加了干扰因素章;
---将原标准定向推荐腐蚀工艺中硅的腐蚀时间5min改为硅的腐蚀时间3min~5min。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:杨旭、何兰英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;
---GB/T1555-1997。
-
适用范围：
本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。
本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T2481.1 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第1部分:粗磨粒F4~F220
GB/T2481.2 固结磨具用磨料 粒度组成的检测和标记 第2部分:微粉F230~F1200
GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 29055-2019
太阳能电池用多晶硅片
-
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
-
YS/T 989-2014
锗粒
-
YS/T 1160-2016
工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
-
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
-
GB/T 16595-2019
晶片通用网格规范
-
GB/T 29055-2012
太阳电池用多晶硅片
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
GB/T 30858-2014
蓝宝石单晶衬底抛光片
-
YS/T 724-2016
多晶硅用硅粉
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
GB/T 2881-2014e
工业硅
-
GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
打开设置，点击
执行注册
