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GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准代替GB/T1553-1997《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》。
本标准与原标准相比,主要有如下变化:
---新增加少子寿命值的测量下限范围;
---删除了有关斩切光的内容;
---本标准将GB/T1553-1997中第7章试剂和材料和第8章测试仪器并为第6章测量仪器;
---本标准增加了术语章和体寿命的解释;
---本标准在干扰因素章增加了对各干扰因素影响的消除方法。
本标准的附录A 为规范性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:江莉、杨旭。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。
-
适用范围：
1.1 本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
1.2 本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面，见表1。
-
引用标准：
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB/T14264 半导体材料术语
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