收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准修改采用SEMIMF841105《硅片电阻率测定四探针法》和SEMIMF3971106《硅棒电阻率测定两探针法》。
本标准与SEMIMF841105和SEMIMF3971106相比,主要变化如下:
---中厚度修正系数F(犠/犛)表格范围增加;
---按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。
本标准代替GB/T1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》。
本标准与GB/T1551-1995和GB/T1552-1995相比,主要有如下变化:
---删除了锗单晶测定的相关内容;
---用文字描述代替了原标准GB/T1551-1995和GB/T1552-1995中的若干记录测试数据的表格;
---修改了直排四探针法中计算公式;
---补充了干扰因素。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人:李静、何秀坤、张继荣、段曙光。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB1552-1979、GB1551-1979、GB5251-1985、GB5253-1985、GB6615-1986;
---GB/T1551-1995、GB/T1552-1995。
-
适用范围：
本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10 -3 Ω·cm～3×10 3 Ω·cm。
-
引用标准：
暂无
相关标准
相关部门
-
起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
信息产业部专用材料质量监督检验中心
-
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
-
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
-
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
-
GB/T 16596-2019
确定晶片坐标系规范
-
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
-
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 11070-2006
还原锗锭
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片
-
GB/T 31475-2015
电子装联高质量内部互连用焊锡膏
-
GB/T 35307-2017
流化床法颗粒硅
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 29849-2013
光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
GB/T 37051-2018
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
-
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
-
GB/T 20230-2006
磷化铟单晶
打开设置，点击
执行注册
